Bác có thể cho anh em Links download cụ thể của Intel để downloadchương trình tiện ích xác định model bộ xử lý Intel. Và windows có bản quyền hay không nựa
Cảm ơn ! 

• Cũng như overclocking CPU, việc tăng điện thế RAM nên làm thật từ từ, hãy cố gắng tăng điện thế mỗi lần 1 ít. Sau mỗi lần như vậy, chạy các chương trình test RAM như http://www.memtest86.com/ để kiểm tra, và nếu kết quả test không tốt thì phải hạ điện thế RAM xuống 1 chút rồi test lại lần nữa.

• 0.3 volts lớn hơn so với default – Đây là con số khá thận trọng đối với rất nhiều người (bao gồm cả tác giả bài viết này), nhưng thường là vừa phải, đủ dùng. Đây cũng là mức tối đa mà hầu hết bo mạch chủ có thể cung cấp. Thường thì để tăng điện thế bạn cần phải mod phần cứng hoặc chỉnh sửa trong BIOS.

• Mức điện thế cao hơn 2.9v (hỗ trợ bởi 1 vài mainboard) rất có thể gây hỏng RAM. Vì thế hãy thử hỏi vài người khác có RAM giống bạn để tham khảo về khả năng chịu đựng điện thế của nó.

• Command rate - delay (tính bằng chu kỳ xung nhịp) từ khi phát ra tín hiệu Chip Select đến khi memory controller bắt đầu gửi các lệnh đến để kích hoạt (activate) memory bank. Vì thế command rate quá cao sẽ giảm đi hiệu năng RAM vì khoảng thời gian chờ không cần thiết quá lâu. Nhưng command rate cũng không nên quá thấp bởi độ trễ này quá ngắn khiến cho memory controller có thể làm việc không kịp, gửi các lệnh không đúng/sai địa chỉ, dẫn đến mất mát dữ liệu. Command Rate thường mang giá trị 1T (1 chu kỳ xung nhịp) hoặc 2T (2 chu kỳ xung nhịp). Bạn nên để Command Rate là 1T để có được hiệu năng tốt, nhưng nếu mong muốn sự ổn định thì 2T cũng là con số hợp lý.

• CAS (Column Address Strobe) – Là số chu kỳ xung nhịp từ khi memory controller phát ra tín hiệu đọc (READ commands) đến khi dữ liệu đến được bus dữ liệu. Hình dung bộ nhớ như 1 cái bảng tính Excel, và CAS sẽ xuất hiện mỗi khi thay đổi cột (column) được truy cập (vốn diễn ra thường xuyên hơn việc thay đổi hàng (row)).

• tRP (RAS Precharge Delay - Thời gian cần để DRAM kết thúc việc truy cập/ngừng kích hoạt (de-activate) 1 hàng và tiếp tục bắt đầu truy cập 1 hàng mới. Nói 1 cách đơn giản hơn, nó có nghĩa là thay đổi memory banks.

• tRCD (RAS (Row Address Strobe) to CAS delay) – delay từ khi memory bank được kích hoạt đến khi 1 lệnh đọc/ghi được gửi đến memory bank đó. Hãy tưởng tượng có 1 bảng tính Excel, đánh số hàng từ trên xuống dưới, đánh số cột từ trái qua phải bắt đầu từ góc trái trên cùng bảng tính, thời gian bạn cần, giả sử, để di chuyển xuống 20 ô và di chuyển sang phải 20 ô chính là RAS to CAS delay.

• tRAS (Active to Precharge or Active Precharge Delay) – Delay nói lên: sau khi kết thúc truy cập 1 hàng bộ nhớ, bạn phải chờ bao lâu để bắt đầu truy cập được 1 hàng khác.

• Cũng như đối với CPU và card đồ hoạ, việc điều chỉnh memory timings cũng cần được thực hiện có phương pháp, cần nhiều thời gian để thử nghiệm hoạt động đối với mỗi mức điều chỉnh

• Giá trị timings nhỏ = hiệu năng cao, tuy nhiên làm giảm khả năng overclock và giảm sự ổn định

• Giá trị timings lớn = hiệu năng thấp, tuy nhiên lại có khả năng overclock và độ ổn định cao.

• tRCD và tRP thường là những giá trị bằng nhau, nằm trong khoảng từ 2 đến 4 Nếu bạn tweak để đạt khả năng overclock cao, hãy ưu tiên thiết lập giá trị tRP thấp hơn đầu tiên.

• Giá trị CAS nên là 2.0 hoặc 2.5 vì rất nhiều hệ thống, thường là nForce2, không thể boot được hoặc có vấn đề về tương thích với RAM có CAS 3. CAS không phải là delay quan trọng nhất trong các memory timings, như rất nhiều người nghĩ và vẫn nói. Nói chung, tầm quan trọng của CAS, nhất là khi so sánh với tRP và tRCD, là tương đối nhỏ bé. Giảm giá trị CAS sẽ tăng hiệu năng tương đối ít, không đáng kể, trong khi đó giá trị tRP và tRCD thấp thực sự cải thiện nhiều về hiệu năng. Nói cách khác, nếu bạn phải lựa chọn, timings (theo thứ tự lần lượt là tRCD-tRP-CAS) 3-3-2.5 sẽ tốt hơn 4-4-2.0.

• tRAS luôn luôn lớn hơn các giá trị timings còn lại. Xem chi tiết ở phần dưới đây:

• 200 MHz FSB với tỷ lệ 100% hay 1:1 (FSB:Memory) sẽ cho kết quả là bộ nhớ RAM 200 MHz (DDR400)

• 200 MHz FSB với tỷ lệ 120% hay 5:6 (FSB:Memory) cho kết quả là bộ nhớ RAM 240 MHZ (DDR480)

• 250 MHz FSB với tỷ lê 80% hay 5:4 (FSB:Memory) cho kết quả bộ nhớ RAM 200 MHz (DDR400)

• Chip nhớ được đặt tên theo tốc độ thực của chúng. VD: chip nhớ 333 MHz DDR SDRAM được gọi là chip DDR333, còn chip nhớ 400 MHz DDR SDRAM được gọi là DDR400.

• Bộ nhớ DDR cũng đựoc gọi tên theo mức băng thông cao nhất (peak bandwith), tức là lượng dữ liệu tối đa, cao nhất có thể được truyền đi trong 1 giây. VD: 400 MHz DDR DIMM được gọi là PC3200 DIMM. Các bạn hãy hình dùng: mỗi thanh DDR này rộng 64 bits (tức 8 bytes). Để tính đựoc tốc độ truyền dữ liệu, ta đem con số chỉ độ rộng của DDR này (8 bytes, như đã nói trên) nhân với tốc độ xung nhịp của thanh DDR đó (tính theo MHz)
• (8 Bytes) x (400 MHz/second) = 3,200 Mbytes/second hay 3.2 Gbytes/second
• do đó thanh DDR trong ví dụ này, DDR400, cũng có tên PC3200.

• Những điều căn bản về bộ nhớ RAM

• BIOS Settings

• Overclocking